[招待論文] 独自の塗布型材料を用いた高信頼性酸化物TFT

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タイトル別名
  • Highly Reliable Oxide TFT with Original Solution-Processed Materials

抄録

独自組成の酸化物材料とそのインクを開発しTFTを作製した。半導体層にはドープ型の酸化物半導体を、ゲート絶縁膜にはhigh-k酸化物絶縁体を、保護層にはバリア性のある酸化物絶縁体を用い、これらの層を全てインクの塗布と焼成によって形成した。パターニングは標準的なフォトリソプロセスにより行った。得られたTFTの電界効果移動度は11.3 cm2/Vsであり、真空成膜の酸化物TFTと同等の性能を得た。また、優れた信頼性を示し、バイアスストレス試験におけるVthシフトは60℃ 10^5秒の条件で0.2V以下と極めて小さかった。これらの結果により、独自開発した酸化物材料と塗布プロセスの優位性を示した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390851098294830208
  • NII論文ID
    130008043725
  • DOI
    10.11485/itetr.41.07.0_23
  • ISSN
    24241970
    13426893
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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