新開発 SiC-VMOSFET による 超小形・低コスト・シングルエンデッド・ワイヤレスEV 充電装置

• 岩永 太一

  大阪工業大学

• 大森 英樹

  大阪工業大学

• 廣岡 翔吾

  大阪工業大学

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所

• 森實 俊充

  大阪工業大学

• 又吉 秀仁

  大阪工業大学

書誌事項

タイトル別名

• An ultra-compact low-cost single-ended wireless EV charger with a newly developed SiC-VMOSFET
• シン カイハツ SiC-VMOSFET ニ ヨル チョウコガタ ・ テイコスト ・ シングルエンデッド ・ ワイヤレス EV ジュウデン ソウチ

抄録

In this paper, we propose a new SiC-VMOSFET single-ended converter that realizes a low-cost, compact and lightweight wireless EV charger, which is the key device for the popularization of electric vehicles in recent years. A three-fold transfer power and 1/6 power device loss have been achieved by an improved drive pattern, a newly developed V-groove trench SiC-MOSFET, and a new type of low switching loss circuit topology.

収録刊行物

• パワーエレクトロニクス学会誌

  パワーエレクトロニクス学会誌 46 (0), 68-76, 2020

  パワーエレクトロニクス学会

キーワード

• シングルエンデッド
• SiC
• EV
• ワイヤレス給電
• 充電
• SiC-V 溝トレンチMOSFET

詳細情報

• CRID: 1390851806061260288
• NII論文ID: 130008068814
• NII書誌ID: AA11921199
• DOI: 10.5416/jipe.46.68
• ISSN: 18843239
• ISSN: 13488538
• NDL書誌ID: 031416288
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/031416288
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031416288
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jipe/46/0/46_68/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可