ナノカーボンの触媒作用に基づく半導体表面の選択エッチング

DOI Web Site Web Site 参考文献28件
  • 三栗野 諒
    大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻精密工学コース
  • 小笠原 歩見
    大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻精密工学コース
  • 川合 健太郎
    大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻精密工学コース
  • 山村 和也
    大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻精密工学コース 大阪大学大学院工学研究科附属精密工学研究センター
  • 有馬 健太
    大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻精密工学コース

書誌事項

タイトル別名
  • Selective Etching of Semiconductor Surfaces by Catalytic Activity of Nanocarbon
  • ナノカーボン ノ ショクバイ サヨウ ニ モトズク ハンドウタイ ヒョウメン ノ センタク エッチング

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抄録

<p>Catalyst-assisted chemical etching is an emerging technology in the formation of semiconductor surfaces with various structures and functions. Because this etching utilizes chemical reactions, it does not leave mechanical damages on a processed surface. In addition, by controlling solution conditions, a semiconductor surface in contact with a catalyst can be etched selectively, which has a potential to realize surface structures with a high-aspect ratio. In general, precious metals such as Pt and Ag are used as catalysts in this etching mode. In contrast, we propose to use a carbon-based catalyst such as reduced graphene oxide which can be well dispersed in liquid. In this report, we present our recent results on nanocarbon-assisted chemical etching of a Ge surface in water with dissolved oxygen molecules. After showing fundamental properties, we demonstrate to form a trench pattern on Ge by a patterned catalytic film composed of nanocarbons.</p>

収録刊行物

  • 表面と真空

    表面と真空 64 (8), 352-357, 2021-08-10

    公益社団法人 日本表面真空学会

参考文献 (28)*注記

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