Fabrication of porous gallium nitride (GaN) utilizing two-step etching method and control of its optical properties

• SATO Taketomo

  北海道大学

• TOGUCHI Masachika

  北海道大学

Bibliographic Information

Other Title

• 7．2段階エッチング法を用いたポーラス窒化ガリウム(GaN)の形成とその光学特性の制御
• 2段階エッチング法を用いたポーラス窒化ガリウム(GaN)の形成とその光学特性の制御
• 2 ダンカイ エッチングホウ オ モチイタ ポーラス チッカ ガリウム(GaN)ノ ケイセイ ト ソノ コウガク トクセイ ノ セイギョ

Abstract

Journal

• Denki Kagaku

  Denki Kagaku 89 (4), 365-369, 2021-12-05

  The Electrochemical Society of Japan

Keywords

• Sociology and Political Science
• History
• Anthropology

Details

• CRID: 1390290307612009472
• NII Article ID: 130008125721
• NII Book ID: AA12814285
• DOI: 10.5796/denkikagaku.21-fe0035
• ISSN: 24333263
• ISSN: 24333255
• NDL BIB ID: 031857714
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/031857714
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031857714
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/denkikagaku/89/4/89_21-FE0035/_pdf
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• Abstract License Flag: Disallowed