Read/Writeレイテンシの違いを考慮した不揮発性メモリのソフトウェアエミュレータ

• 小柴, 篤史

• 広渕, 崇宏

• 高野, 了成

• 並木, 美太郎

抄録

STT-MRAMなどの不揮発性メモリ(NVM)は，従来のDRAMに替わる次世代の高性能メモリとして注目されている．NVMの特性を活用したメモリ管理手法やアーキテクチャの研究が進められている一方，実際に製品化されているNVMは少ないため，評価にはサイクルレベルのシミュレータを用いることが一般的である．しかし従来のシミュレータは長い実行時間を要するため，大規模なアプリケーションやオペレーティングシステムを含む挙動をシミュレーションによって評価することを困難にしている．そこで筆者らは，より軽量なソフトウェアによるNVMのエミュレーション手法の研究を進めている．本論文では，既存の研究のエミュレーション方式を拡張し，Read/Writeレイテンシが異なる特性を持つNVMをエミュレーションする方式を提案する．提案手法をVMに適用した時のベンチマーク実行時間を実機上で評価し，指定したWriteレイテンシに応じてベンチマークの実行時間が増加することを確かめた．

収録刊行物

• コンピュータシステム・シンポジウム論文集

  コンピュータシステム・シンポジウム論文集 2016 28-34, 2016-11-21

キーワード

• ストレージ・記憶階層

詳細情報

• CRID: 1050292572130220032
• NII論文ID: 170000173864
• Web Site: http://id.nii.ac.jp/1001/00176008/
• 本文言語コード: ja
• 資料種別: conference paper
• データソース種別:
  • IRDB
  • CiNii Articles
  • KAKEN