Direct Detection of Displacement of Ions and Bonding Electrons by Modulation X-Ray Diffraction Method

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  • 固体内のイオン・電子変位の直接測定—変調X線回折法—
  • 固体内のイオン・電子変位の直接測定--変調X線回折法
  • コタイナイ ノ イオン デンシ ヘンイ ノ チョクセツ ソクテイ ヘンチョウ

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Abstract

高電界によるイオンや電子の動的挙動は X 線回折法で直接観測できるはずであるが,これまで実現していない.このため,外場による X 線回折強度の微小変化を同期検出する変調 X 線回折法を開発むし, GaAs のイオンや結合電子の微小変位 (10-4～10-5Å) を灘定することにより,有効電荷等結合状態を明らかにすることができた.<br> また, X 線反射強度の微小変化の測定から,ショットキー接合の空乏層の高電界が直接検出できることを Al_GaAs について示し,その周波数依存性等から,この方法が固体素子の動的評価に適用できることを明らかにした.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 51 (2), 215-220, 1982

    The Japan Society of Applied Physics

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