応用 耐放射線性SiC半導体デバイス開発の現状

• 大島 武

書誌事項

タイトル別名

• オウヨウ タイホウシャセンセイ SiC ハンドウタイ デバイス カイハツ ノ ゲンジョウ
• 特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料
• トクシュウ シリコン カーバイド ガ ヤッテキタ ジツヨウカ ニ ムケ ウゴキダシタ ジセダイ パワー デバイス ザイリョウ

収録刊行物

• 工業材料 = Engineering materials

  工業材料 = Engineering materials 55 (10), 60-64, 2007-10

  東京 : 日刊工業新聞社

詳細情報

• CRID: 1521699230895538816
• NII論文ID: 40015634107
• NII書誌ID: AN00081076
• ISSN: 04522834
• NDL書誌ID: 8948789
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8948789
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZM16(科学技術--科学技術一般--工業材料・材料試験)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles