Anomalous nickel silicide encroachment in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si(110) substrates and its suppression by Si[+] ion-implantation technique

• Tadashi Yamaguchi

• Keiichiro Kashihara

• Shuichi Kudo

書誌事項

タイトル別名

• Anomalous nickel silicide encroachment in n channel metal oxide semiconductor field effect transistors on Si 110 substrates and its suppression by Si ion implantation technique

抄録

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌

収録刊行物

• Japanese journal of applied physics : JJAP

  Japanese journal of applied physics : JJAP 48 (6), 2009-06

  Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

詳細情報

• CRID: 1520290882451441792
• NII論文ID: 40016627220
• NII書誌ID: AA12295836
• ISSN: 00214922
• NDL書誌ID: 10260817
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10260817
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZM35(科学技術--物理学)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles