コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作

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タイトル別名
  • Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors
  • コランダム コウゾウ サンカブツ ハンドウタイ ノ セイチョウ ト MOSFET シサク

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抄録

サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らかにした。中でも、$alpha$-In$_2$O$_3$層はサファイア基板上の$alpha$-Ga$_2$O$_3$をバッファ層として、パワーデバイス応用につながりうる結晶性および電気的特性を示した。$alpha$-In$_2$O$_3$を用いたMOSFETは明確なピンチオフ特性を示し、ドレイン電流のオンオフ比10$^6$、および電界効果移動度および有効移動度それぞれ60および217 cm$^2$/Vsの値を示した。 このように、ミストCVDを用いて半導体-絶縁構造を形成することは、低コストのデバイス応用に対して有効であるといえる。

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