表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese] Control of N composition of GaAsN alloy grown by surface nitridation  [in Japanese]

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  • 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(65), 21-26, 2015-05-28

    電子情報通信学会

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    40020491991
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • ISSN
    0913-5685
  • NDL Article ID
    026493131
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    NDL 
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