ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察

• 高橋 庸夫

• 工藤 昌輝

• 有田 正志

書誌事項

タイトル別名

• ReRAM ノ テイコウ スイッチ ドウサ ニ オケル フィラメント ケイセイ ・ ショウメツ ノ トウカ デンシ ケンビキョウ ナイ ソノ バ カンサツ
• Visualization of Filament of ReRAM during Resistive Switching by in-situ Transmission Electron Microscopy
• 集積回路
• シュウセキ カイロ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (3), 21-26, 2016-04

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• その場観察TEM
• 抵抗変化メモリ
• in-situ TEM
• ReRAM
• CBRAM
• 信頼性
• in-situ transmission electron microscopy
• Resistive random access memory
• reliability

詳細情報

• CRID: 1520853831988183808
• NII論文ID: 40020818945
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 027287354
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027287354
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles