基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル

• 山口 裕太郎

• 新庄 真太郎

• 山中 宏治

• 大石 敏之

Bibliographic Information

Other Title

• キバン チュウ RF リーク デンリュウ ノ オンド イソンセイ オ コウリョ シタ Si キバン ジョウ GaNHEMT ノ ハンブツリ ダイ シンゴウ モデル
• Semi-Physical Large Signal Model of GaN HEMTs on Si considering temperature dependence of RF leakage current in Substrates
• マイクロ波
• マイクロハ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (310), 33-38, 2016-11

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• GaN
• HEMT
• Si
• Large Signal
• Model
• temperature

Details

• CRID: 1520572359018635520
• NII Article ID: 40021032963
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 027793211
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027793211
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles