InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響

• 遠藤 聡

• 渡邊 一世

• 笠松 章史

• 高橋 剛

• 芝 祥一

• 中舍 安宏

• 岩井 大介

• 三村 高志

書誌事項

タイトル別名

• InP HEMT ノ テイオン DC ・ RF トクセイ ニ カンスル ドレインガワ リセスチョウ ノ エイキョウ
• Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (375), 7-12, 2016-12

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• InP HEMT
• InAlAs/InGaAs
• 低温特性
• ドレイン側リセス長
• 遮断周波数
• f[T]
• 最大発振周波数
• f[max]
• 等価回路パラメータ
• Cryogenic characteristics
• Drain-side recess length
• Cutoff frequency
• Maximum oscillation frequency
• Equivalent circuit parameters

詳細情報

• CRID: 1520009407351739136
• NII論文ID: 40021060802
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 027844131
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027844131
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles