ナノ多孔体の導入による超微細高性能メモリの実現
書誌事項
- タイトル別名
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- ナノ タコウタイ ノ ドウニュウ ニ ヨル チョウビサイ コウセイノウ メモリ ノ ジツゲン
- Realization of High Performance and Very High Density by Introducing Porous Bodies into Conducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM)
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収録刊行物
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- ゼオライト = Zeolite
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ゼオライト = Zeolite 34 (1), 10-18, 2017
東京 : 日本ゼオライト学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520853834117028736
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- NII論文ID
- 40021079224
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- NII書誌ID
- AN10194079
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- ISSN
- 09187774
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- NDL書誌ID
- 027919077
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZP5(科学技術--化学・化学工業--化学工学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN