HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH₂アニールの影響

• 大澤 一斗

• 野口 真司

• 祢津 誠晃

• 木瀬 信和

• 宮本 恭幸

書誌事項

タイトル別名

• HfO ₂/Al ₂ O ₃/InGaAs ゲート コウゾウ ニ オケル イドウド エ ノ セイマク オンド オヨビ H ₂ アニール ノ エイキョウ
• Dependence of Electron Mobility on Deposition Temperature and H₂ Annealing in MOSFETs with HfO₂/Al₂O₃/InGaAs Gate Stacks
• マイクロ波
• マイクロハ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 (432), 35-40, 2017-01

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 移動度
• 界面準位密度
• InGaAs
• HfO₂
• Al₂O₃
• Mobility
• Interface state density

詳細情報

• CRID: 1520009407265852672
• NII論文ID: 40021098907
• NII論文ID: 40021098624
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 027982961
• NDL書誌ID: 027982538
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027982961
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027982538
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles