招待講演 ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO₂を集積した不揮発性SRAM

• 小林 正治

• 上山 望

• 平本 俊郎

Bibliographic Information

Other Title

• ショウタイ コウエン ノーマリーオフ ドウサ ノ タメ ノ キョウ ユウデンタイ HfO ₂ オ シュウセキ シタ フキハツセイ SRAM
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117 (166), 45-48, 2017

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• IoT
• ノーマリーオフ
• 不揮発性SRAM
• 強誘導体
• HfO₂

Details

• CRID: 1520009408197419904
• NII Article ID: 40021285150
• NII Article ID: 40021284731
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 028441244
• NDL BIB ID: 028441767
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028441244
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028441767
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles