高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム

• 仲 敏行

• 齋藤 渉

書誌事項

タイトル別名

• コウタイアツ GaN-HEMT ノ アバランシェ タイリョウ ト ソノ メカニズム
• UIS Withstanding Capability and Mechanism of High Voltage GaN-HEMTs
• 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]

  電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2016 (46-53・55-62), 19-23, 2016-11-14

  東京 : 電気学会

キーワード

• GaN-HEMT
• p型GaNゲート構造
• アバランシェ耐量
• p-type GaN gate structure
• unclamped inductive switching withstanding capability

詳細情報

• CRID: 1520290884956336512
• NII論文ID: 40021402033
• NII論文ID: 40021027185
• NII書誌ID: AN1044178X
• NDL書誌ID: 027783473
• NDL書誌ID: 028700213
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027783473
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028700213
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles