三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証

• 筒井 一生

• 角嶋 邦之

• 星井 拓也

• 中島 昭

• 西澤 伸一

• 若林 整

• 宗田 伊理也

• 佐藤 克己

• 末代 知子

• 齋藤 渉

• 更屋 拓哉

• 伊藤 一夫

• 福井 宗利

• 鈴木 慎一

• 小林 正治

• 高倉 俊彦

• 平本 俊郎

• 小椋 厚志

• 沼沢 陽一郎

• 大村 一郎

• 大橋 弘通

• 岩井 洋

書誌事項

タイトル別名

• サンジゲン スケーリング ニ ヨル IGBT ノ V[CEsat]テイゲン ノ ジッケンテキ ケンショウ
• Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low V[CEsat] IGBTs
• 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]

  電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (74-86), 1-6, 2017-11-21

  東京 : 電気学会

キーワード

• IGBT
• スケーリング
• Si
• オン抵抗
• V[CEsat]
• scaling
• on resistance

詳細情報

• CRID: 1520290884959250176
• NII論文ID: 40021407343
• NII論文ID: 40021407530
• NII書誌ID: AN1044178X
• NDL書誌ID: 028711572
• NDL書誌ID: 028711794
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028711572
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028711794
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles