Schottky Barrier Height Reduction of Pd₂Si/Si(100) Diodes by Dopant Segregation Process

• Rengie Mark D. MAILIG

• Min Gee KIM

• Shun-ichiro OHMI

書誌事項

タイトル別名

• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118 (241), 35-40, 2018-10

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Palladium Silicide
• Dopant Segregation Process
• Schottky Barrier Height
• TiN Encapsulating Layer

詳細情報

• CRID: 1520290883816216960
• NII論文ID: 40021713531
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 029324818
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029324818
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles