ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果

• 古岡 啓太

• 久保 俊晴

• 三好 実人

• 江川 孝志

書誌事項

タイトル別名

• ALD-Al ₂ O ₃/AlGaN/GaN MIS-HEMT ノ デンキ トクセイ ニ オヨボス アニール フンイキ ノ コウカ
• Effects of annealing ambient on electrical properties of ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118 (331), 45-48, 2018-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• MIS
• HEMT
• PDA
• PMA

詳細情報

• CRID: 1520009407887779840
• NII論文ID: 40021747036
• NII論文ID: 40021747390
• NII論文ID: 40021747511
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 029386285
• NDL書誌ID: 029385785
• NDL書誌ID: 029386421
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029386285
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029385785
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029386421
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles