招待講演 Stress Investigation of Annular-Trench-Isolated (ATI) Through Silicon Via (TSV) (シリコン材料・デバイス)

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収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(438), 9-14, 2019-02-07

    電子情報通信学会

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    40021841045
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ENG
  • ISSN
    0913-5685
  • NDL 記事登録ID
    029576297
  • NDL 請求記号
    Z16-940
  • データ提供元
    NDL 
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