超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション

• 小川 湧太郎

• 野原 弘晶

• 白川 裕規

• 洗平 昌晃

• 白石 賢二

書誌事項

タイトル別名

• チョウコウシ GeTe/Sb ₂ Te ₃ メモリ ノ ダイイチ ゲンリ ケイサン ニ ヨル コウゾウ ヘンカ シミュレーション
• First principle simulation about phase change of superlattice GeTe/Sb₂Te₃
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 (96), 39-42, 2019-06-21

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• iPCM
• GeTe/Sb₂Te₃
• 密度汎関数理論
• Density functional theory

詳細情報

• CRID: 1520572359072497152
• NII論文ID: 40021939072
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 029784120
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029784120
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles