依頼講演 Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響

• 城戸 光一

• 佐藤 謙

• 黒田 理人

• 安藤 大輔

• 須藤 祐司

• 小池 淳一

書誌事項

タイトル別名

• イライ コウエン Co/Si カイメン ノ サンカブツソウ ガ ショットキー ショウヘキ タカサ ト セッショク テイコウ ニ オヨボス エイキョウ
• Effect of an oxide layer at Co/Si interface on Schottky barrier height and contact resistivity
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 (239), 35-38, 2019-10

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ショットキー障壁高さ
• 接触抵抗
• Co
• 酸化物
• Schottky barrier height
• contact resistivity
• oxide

詳細情報

• CRID: 1520572358741041536
• NII論文ID: 40022064621
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 030074183
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030074183
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles