トレンチフィールドプレートを有する1200V SiCデバイス向け極短エッジ構造の開発

• 三塚 要

• 小野澤 勇一

• 脇本 節子

• 藤島 直人

• Yong Liu

• Wentao Yang

• Hao Feng

• Johnny K.O. Sin

書誌事項

タイトル別名

• トレンチフィールドプレート オ ユウスル 1200V SiC デバイス ムケ ゴクタン エッジ コウゾウ ノ カイハツ
• Trench Field Plate Engineering for High Efficient Edge Termination of 1200V-class SiC Devices
• 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ ・ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]

  電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2019 (161-172), 23-27, 2019-11-29

  東京 : 電気学会

キーワード

• エッジ終端
• 耐圧
• パワーデバイス
• トレンチフィールドプレート
• 深いトレンチ
• 短エッジ
• Edge termination
• Break down voltage
• Power device
• Trench field plate
• Deep trench
• Short edge

詳細情報

• CRID: 1520290884991495040
• NII論文ID: 40022088566
• NII論文ID: 40022089212
• NII書誌ID: AN1044178X
• NDL書誌ID: 030119221
• NDL書誌ID: 030118520
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030119221
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030118520
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN32(科学技術--電気工学・電気機械工業--電力)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles