SiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発

• 椋木 康滋

Bibliographic Information

Other Title

• SiC-MOSFET ノ カイロ シミュレーションモデル ノ カイハツ
• Development of a Compact Model for an SiC-MOSFET
• 電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用
• デンシ デバイス ケンキュウカイ コウキノウ カゴウブツ ハンドウタイ エレクトロニクス ギジュツ ト ショウライ システム エ ノ オウヨウ

Journal

• 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]

  電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2020 (36-44), 35-39, 2020-03

  東京 : 電気学会

Keywords

• 回路シミュレーションモデル
• SiC-MOSFET
• 出力特性
• 寄生容量
• Compact model
• output characteristics
• parasitic capacitors

Details

• CRID: 1520290884977898496
• NII Article ID: 40022217465
• NII Book ID: AN1044178X
• NDL BIB ID: 030378959
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030378959
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles