SiC MOSFETのゲート駆動条件がスイッチング特性に及ぼす影響に関する実験的検討

• 阪部 智城

• 井渕 貴章

• 舟木 剛

書誌事項

タイトル別名

• SiC MOSFET ノ ゲート クドウ ジョウケン ガ スイッチング トクセイ ニ オヨボス エイキョウ ニ カンスル ジッケンテキ ケントウ
• An experimental study on the effects of gate drive condition of SiC MOSFET on switching behavior
• モータドライブ 回転機 自動車合同研究会・自動車用など用途指向形モータドライブ
• モータドライブ カイテンキ ジドウシャ ゴウドウ ケンキュウカイ ・ ジドウシャヨウ ナド ヨウト シコウケイ モータドライブ

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. MD / モータドライブ研究会 [編]

  電気学会研究会資料. MD / モータドライブ研究会 [編] 2020 (66-73), 43-48, 2020-05-14

  東京 : 電気学会

キーワード

• SiC MOSFET
• 単相フルブリッジインバータ
• ゲートドライブ回路
• ゲート駆動条件
• サージ
• リンギング
• single phase full bridge inverter (H bridge)
• gate drive circuit
• gate drive conditions
• surge
• ringing oscillation

詳細情報

• CRID: 1520009409894386304
• NII論文ID: 40022302373
• NII論文ID: 40022302476
• NII論文ID: 40022302555
• NII書誌ID: AA11680208
• NDL書誌ID: 030551751
• NDL書誌ID: 030551668
• NDL書誌ID: 030551554
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030551751
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030551668
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030551554
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles