Si(111)表面上のIn単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

• 寺川 成海

  京都大学大学院理学研究科

• 八田 振一郎

  京都大学大学院理学研究科

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Uniaxially Incommensurate Structure and Metal-insulator Transition of Metallic Indium Monolayer on Si(111)
• Si(111)ヒョウメン ジョウ ノ Inタンゲンシソウ キンゾク ノ イチジクセイ フセイゴウ コウゾウ ト キンゾク ゼツエンタイ テンイ

抄録

We have studied the atomic structure and phase transition of a monolayer phase of In on Si(111), known as the hexagonal (√7×√3) phase. Low-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy observations revealed that the monolayer phase actually has an incommensurate structure with the In overlayer uniaxially contracted by 2% from (√7×√3). We observed the phase transition to the (√7×√7) phase at 250–210 K upon cooling. Angle-resolved photoelectron spectroscopy and in situ four-point-probe conductivity measurements demonstrated that the transition induces disappearance of the metallic surface states and a sharp drop in conductivity, respectively. These results indicate an electronic metal-insulator transition.

収録刊行物

• 表面と真空

  表面と真空 63 (8), 425-430, 2020-08-10

  公益社団法人 日本表面真空学会

キーワード

• monolayer films
• metal-insulator transitions
• STM
• ARPES
• electrical transport

詳細情報

• CRID: 1390848250135315712
• NII論文ID: 130007886632
• NII書誌ID: AA12808657
• DOI: 10.1380/vss.63.425
• ISSN: 24335843
• ISSN: 24335835
• NDL書誌ID: 030599978
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030599978
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/63/8/63_20180588/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可