選択成長法を用いたGaN系FinFET
書誌事項
- タイトル別名
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- センタク セイチョウホウ オ モチイタ GaNケイ FinFET
- GaN FinFETs fabricated by using selective area growth
- 電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ コウキノウ カゴウブツ ハンドウタイ エレクトロニクス ギジュツ ト ショウライ システム エ ノ オウヨウ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2021 (24-33), 11-15, 2021-03-03
東京 : 電気学会
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詳細情報
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- CRID
- 1520290884980506240
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- NII論文ID
- 40022543506
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- NDL書誌ID
- 031403922
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles