低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究

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Author
    • 大村, 悦司 オオムラ, エツジ
Bibliographic Information
Title

低しきい値,基本横モード発振InGaAsP/InP(λ=1.3μm)半導体レーザの開発に関する研究

Author

大村, 悦司

Author(Another name)

オオムラ, エツジ

University

大阪大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第3572号

Degree year

1985-03-04

Note and Description

博士論文

4access

Codes
  • NII Article ID (NAID)
    500000013633
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000013641
  • Text Lang
    • und
  • NDLBibID
    • 000000177947
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
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