微細MOSFETの低抵抗電極の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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微細MOSFETの低抵抗電極の研究
- 著者名
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長澤, 英二
- 著者別名
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ナガサワ, エイジ
- 学位授与大学
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慶應義塾大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第1782号
- 学位授与年月日
-
1987-03-03
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (12コマ目)
微細MOSFETの低抵抗電極の研究
長澤, 英二
ナガサワ, エイジ
慶應義塾大学
工学博士
乙第1782号
1987-03-03
博士論文
