高抵抗率半導体における位相メモリ現象と深い準位に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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高抵抗率半導体における位相メモリ現象と深い準位に関する研究
- 著者名
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吉江, 治
- 著者別名
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ヨシエ, オサム
- 学位授与大学
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慶應義塾大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第1831号
- 学位授与年月日
-
1987-09-11
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (12コマ目)
高抵抗率半導体における位相メモリ現象と深い準位に関する研究
吉江, 治
ヨシエ, オサム
慶應義塾大学
工学博士
乙第1831号
1987-09-11
博士論文