高抵抗率半導体における位相メモリ現象と深い準位に関する研究

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Author

    • 吉江, 治 ヨシエ, オサム

Bibliographic Information

Title

高抵抗率半導体における位相メモリ現象と深い準位に関する研究

Author

吉江, 治

Author(Another name)

ヨシエ, オサム

University

慶應義塾大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第1831号

Degree year

1987-09-11

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (12コマ目)
1access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000021882
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000021907
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000186196
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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