LPE growth and characterization of InGaAsP/InP quantum well structures and its application to semiconductor lasers 液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザーへの応用に関する研究

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Author

    • 佐々井, 洋一 ササイ, ヨウイチ

Bibliographic Information

Title

LPE growth and characterization of InGaAsP/InP quantum well structures and its application to semiconductor lasers

Other Title

液相エピタキシャル法による量子井戸層の成長および評価と半導体レーザーへの応用に関する研究

Author

佐々井, 洋一

Author(Another name)

ササイ, ヨウイチ

University

大阪大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第4284号

Degree year

1987-11-30

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 (9コマ目)
2access

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000027904
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000027950
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • und
  • NDLBibID
    • 000000192218
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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