Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
Epitaxial growth of SiC by chemical vapor deposition and application to electronic devices
- タイトル別名
-
CVD法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用
- 著者名
-
芝原, 健太郎
- 著者別名
-
シバハラ, ケンタロウ
- 学位授与大学
-
京都大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第3995号
- 学位授与年月日
-
1988-03-23
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (10コマ目)
