分子線エピタキシー法による化合物半導体の結晶成長とガスドーピングの研究 bunshisen epitakishiho ni yoru kagobutsu handotai no kessho seicho to gasu dopingu no kenkyu

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Author

    • 後藤, 秀樹 ゴトウ, ヒデキ

Bibliographic Information

Title

分子線エピタキシー法による化合物半導体の結晶成長とガスドーピングの研究

Other Title

bunshisen epitakishiho ni yoru kagobutsu handotai no kessho seicho to gasu dopingu no kenkyu

Author

後藤, 秀樹

Author(Another name)

ゴトウ, ヒデキ

University

早稲田大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第688号

Degree year

1988-10-13

Note and Description

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙688号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1988-10-13 ; 早大学位記番号:新1458 ; 理工学図書館請求番号:1238

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  1. 目次 (5コマ目)
1access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000056339
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000056479
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • jpn
  • NDLBibID
    • 000000220653
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections
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