Electron deep levels in horizontal Bridgman grown gallium arsenide 水平ブリッジマン法によるガリウムヒ素化合物半導体の深い電子準位に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
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Electron deep levels in horizontal Bridgman grown gallium arsenide
- Other Title
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水平ブリッジマン法によるガリウムヒ素化合物半導体の深い電子準位に関する研究
- Author
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閔, 碩基
- Author(Another name)
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ミン, ソクキ
- University
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大阪大学
- Types of degree
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工学博士
- Grant ID
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乙第4751号
- Degree year
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1989-05-19
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 (6コマ目)