イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究
- Author
-
伊藤, 和男
- Author(Another name)
-
イトウ, カズオ
- University
-
東京大学
- Types of degree
-
理学博士
- Grant ID
-
乙第9159号
- Degree year
-
1989-02-27
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 (10コマ目)