イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究
- 著者名
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伊藤, 和男
- 著者別名
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イトウ, カズオ
- 学位授与大学
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東京大学
- 取得学位
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理学博士
- 学位授与番号
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乙第9159号
- 学位授与年月日
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1989-02-27
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (10コマ目)