Influence of crystalline defects and residual stress on the carrier transport characteristics of SOS MOS devices SOS MOS素子の電気電導特性に及ぼす結晶欠陥と残留歪の影響

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 恩賀, 伸二 オンガ, シンジ

書誌事項

タイトル

Influence of crystalline defects and residual stress on the carrier transport characteristics of SOS MOS devices

タイトル別名

SOS MOS素子の電気電導特性に及ぼす結晶欠陥と残留歪の影響

著者名

恩賀, 伸二

著者別名

オンガ, シンジ

学位授与大学

学習院大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

乙第56号

学位授与年月日

1988-10-19

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 (4コマ目)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000063604
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000063773
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000227918
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

書き出し

ページトップへ