Influence of crystalline defects and residual stress on the carrier transport characteristics of SOS MOS devices SOS MOS素子の電気電導特性に及ぼす結晶欠陥と残留歪の影響
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著者
書誌事項
- タイトル
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Influence of crystalline defects and residual stress on the carrier transport characteristics of SOS MOS devices
- タイトル別名
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SOS MOS素子の電気電導特性に及ぼす結晶欠陥と残留歪の影響
- 著者名
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恩賀, 伸二
- 著者別名
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オンガ, シンジ
- 学位授与大学
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学習院大学
- 取得学位
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理学博士
- 学位授与番号
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乙第56号
- 学位授与年月日
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1988-10-19
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (4コマ目)