反応性イオンビーム堆積によるSi系結晶薄膜の低温成長
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著者
書誌事項
- タイトル
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反応性イオンビーム堆積によるSi系結晶薄膜の低温成長
- 著者名
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山田, 宏
- 著者別名
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ヤマダ, ヒロシ
- 学位授与大学
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東北大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第5272号
- 学位授与年月日
-
1990-03-14
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (4コマ目)
反応性イオンビーム堆積によるSi系結晶薄膜の低温成長
山田, 宏
ヤマダ, ヒロシ
東北大学
工学博士
乙第5272号
1990-03-14
博士論文