Investigation on heavily impurity-doped GaAs/AIAs superlattices grown by molecular beam epitaxy MBE法により作製された高濃度ドープGaAs/AIAs超格子膜に関する研究
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- タイトル
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Investigation on heavily impurity-doped GaAs/AIAs superlattices grown by molecular beam epitaxy
- タイトル別名
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MBE法により作製された高濃度ドープGaAs/AIAs超格子膜に関する研究
- 著者名
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小林, 規矩男
- 著者別名
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コバヤシ, キクオ
- 学位授与大学
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東京工業大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第1949号
- 学位授与年月日
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1989-06-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (7コマ目)