A study of homoepitaxial growth on the clean and metal covered surfaces of germanium and silicon Ge,Siの清浄表面及び金属吸着表面上のホモエピタクシャル成長の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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A study of homoepitaxial growth on the clean and metal covered surfaces of germanium and silicon
- タイトル別名
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Ge,Siの清浄表面及び金属吸着表面上のホモエピタクシャル成長の研究
- 著者名
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福谷, 克之
- 著者別名
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フクタニ, カツユキ
- 学位授与大学
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東京大学
- 取得学位
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理学博士
- 学位授与番号
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甲第8431号
- 学位授与年月日
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1990-03-29
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (4コマ目)