半導体デバイス形成用シリコンナイトライド薄膜に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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半導体デバイス形成用シリコンナイトライド薄膜に関する研究
- 著者名
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安井, 寛治
- 著者別名
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ヤスイ, カンジ
- 学位授与大学
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長岡技術科学大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第10号
- 学位授与年月日
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1990-09-19
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 (5コマ目)
半導体デバイス形成用シリコンナイトライド薄膜に関する研究
安井, 寛治
ヤスイ, カンジ
長岡技術科学大学
工学博士
乙第10号
1990-09-19
博士論文