Pb[2]CrO[5]横型構造光電変換デバイスとその応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Pb[2]CrO[5]横型構造光電変換デバイスとその応用に関する研究
- 著者名
-
吉田, 伸蔵
- 著者別名
-
ヨシダ, シンゾウ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
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乙第5192号
- 学位授与年月日
-
1990-11-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序章 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 研究内容の梗概 / p4 (0008.jp2)
- 第1章の参考文献 / p8 (0010.jp2)
- 第2章 Pb₂CrO₅光電変換素子の動作メカニズム / p11 (0011.jp2)
- 2.1 まえがき / p11 (0012.jp2)
- 2.2 金属/Pb₂CrO₅セラミック接触の光起電力効果 / p12 (0013.jp2)
- 2.3 Pb₂CrO₅光電変換素子のインピーダンス解析による等価回路表示 / p26 (0020.jp2)
- 2.4 むすび / p38 (0026.jp2)
- 第2章の参考文献 / p39 (0026.jp2)
- 第3章 半絶縁性Pb₂CrO₅薄膜の作製と評価 / p41 (0027.jp2)
- 3.1 まえがき / p41 (0028.jp2)
- 3.2 半絶縁性(310)配向Pb₂CrO₅薄膜の作製 / p42 (0029.jp2)
- 3.3 ラマン散乱法による(310)配向Pb₂CrO₅薄膜の分析 / p56 (0036.jp2)
- 3.4 半絶縁性Pb₂CrO₅薄膜を用いた横型構造光電変換素子の光電特性 / p62 (0039.jp2)
- 3.5 むすび / p78 (0047.jp2)
- 第3章の参考文献 / p79 (0047.jp2)
- 第4章 1次元及び2次元の光位置センサ / p81 (0048.jp2)
- 4.1 まえがき / p81 (0049.jp2)
- 4.2 Pb₂CrO₅セラミクスを用いた高分解能な光位置センサ / p83 (0050.jp2)
- 4.3 Pb₂CrO₅薄膜を用いた高分解能な光位置センサ / p98 (0058.jp2)
- 4.4 Pb₂CrO₅薄膜を用いた測定範囲の広い光位置センサ / p107 (0062.jp2)
- 4.5 Pb₂CrO₅薄膜を用いた高速高分解能光位置センサ / p115 (0066.jp2)
- 4.6 むすび / p128 (0073.jp2)
- 第4章の参考文献 / p130 (0074.jp2)
- 第5章 紫外線センサ及び密着型ラインイメージセンサ / p133 (0075.jp2)
- 5.1 まえがき / p133 (0076.jp2)
- 5.2 半絶縁性Pb₂CrO₅薄膜を用いた紫外線センサ / p134 (0077.jp2)
- 5.3 半絶縁性Pb₂CrO₅薄膜上に作製した光センサアレイ / p143 (0081.jp2)
- 5.4 半絶縁性Pb₂CrO₅薄膜を用いた密着型ラインイメージセンサ / p152 (0086.jp2)
- 5.5 むすび / p163 (0091.jp2)
- 第5章の参考文献 / p164 (0092.jp2)
- 第6章 結論 / p167 (0094.jp2)
- 著者文献目録 / p169 (0096.jp2)
- 謝辞 / p171 (0098.jp2)
