イオン打込み方式磁気バブルメモリ素子の高密度化に関する研究
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
イオン打込み方式磁気バブルメモリ素子の高密度化に関する研究
- 著者名
-
佐藤, 敏浩
- 著者別名
-
サトウ, トシヒロ
- 学位授与大学
-
横浜国立大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第22号
- 学位授与年月日
-
1990-12-31
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 まえがき / p1 (0005.jp2)
- 1.2 磁気バブルの基本的性質 / p3 (0006.jp2)
- 1.3 パーマロイ転送方式とその限界 / p8 (0009.jp2)
- 1.4 イオン打込み転送方式 / p12 (0011.jp2)
- 1.5 イオン打込み素子の構成 / p24 (0017.jp2)
- 1.6 本論文の内容 / p28 (0019.jp2)
- 参考文献 / p30 (0020.jp2)
- 第2章 高密度イオン打込み転送路の動作 / p32 (0021.jp2)
- 2.1 まえがき / p32 (0021.jp2)
- 2.2 実験方法 / p34 (0022.jp2)
- 2.3 歪プロファイルの検討 / p42 (0026.jp2)
- 2.4 イオン打込み転送路のセルサイズ縮小化の検討 / p53 (0031.jp2)
- 2.5 まとめ / p69 (0039.jp2)
- 参考文献 / p70 (0040.jp2)
- 第3章 イオン打込み･パーマロイ複合素子 / p71 (0040.jp2)
- 3.1 まえがき / p71 (0040.jp2)
- 3.2 複合素子の設計 / p72 (0041.jp2)
- 3.3 接続部の動作特性と改良 / p78 (0044.jp2)
- 3.4 0.5μmバブル用接続部の検討 / p92 (0051.jp2)
- 3.5 まとめ / p102 (0056.jp2)
- 参考文献 / p104 (0057.jp2)
- 第4章 全イオン打込み素子用デュアルゲート / p106 (0058.jp2)
- 4.1 まえがき / p106 (0058.jp2)
- 4.2 デュアルゲートの機能 / p107 (0058.jp2)
- 4.3 デュアルゲートの基礎検討 / p113 (0061.jp2)
- 4.4 デュアルゲートの積層構造の検討 / p119 (0064.jp2)
- 4.5 デュアルゲートの動作特性改善 / p131 (0070.jp2)
- 4.6 まとめ / p151 (0080.jp2)
- 参考文献 / p153 (0081.jp2)
- 第5章 全イオン打込み素子の総合動作 / p155 (0082.jp2)
- 5.1 まえがき / p155 (0082.jp2)
- 5.2 全イオン打込み素子の設計 / p155 (0082.jp2)
- 5.3 全イオン打込み素子の総合動作特性 / p174 (0092.jp2)
- 5.4 まとめ / p179 (0094.jp2)
- 参考文献 / p181 (0095.jp2)
- 第6章 結論 / p182 (0096.jp2)
- 謝辞 / p189 (0099.jp2)
- 研究業績 / p190 (0100.jp2)
