ゲートターンオフサイリスタの動作機構解明とその高性能化に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
ゲートターンオフサイリスタの動作機構解明とその高性能化に関する研究
- Author
-
長野, 隆洋
- Author(Another name)
-
ナガノ, タカヒロ
- University
-
京都大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第7469号
- Degree year
-
1991-03-23
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / p5 (0006.jp2)
- 第1章 緒言 / p1 (0008.jp2)
- §1.1 本研究の意義 / p1 (0008.jp2)
- §1.2 パワー半導体スイッチング素子の種類と特徴 / p2 (0009.jp2)
- §1.3 GTOとその特性および応用 / p6 (0011.jp2)
- 1.3.1 GTOの歴史的背景 / p6 (0011.jp2)
- 1.3.2 GTOの基本構造と動作原理 / p7 (0011.jp2)
- 1.3.3 GTOのモデル / p17 (0016.jp2)
- 1.3.4 設計上の考え方 / p23 (0019.jp2)
- 1.3.5 金ドープ型GTOの問題点 / p29 (0022.jp2)
- 1.3.6 GTOの応用 / p29 (0022.jp2)
- §1.4 GTOの研究課題 / p34 (0025.jp2)
- §1.5 本研究の目的と各章の概要 / p35 (0025.jp2)
- 第2章 ターンオフ機構の1次元解析 / p38 (0027.jp2)
- §2.1 まえがき / p38 (0027.jp2)
- §2.2 数値解析方法 / p38 (0027.jp2)
- 2.2.1 デバイス方程式 / p38 (0027.jp2)
- 2.2.2 外部回路との結合 / p40 (0028.jp2)
- 2.2.3 数値解法 / p42 (0029.jp2)
- 2.2.3 ドリフトおよび拡散成分 / p43 (0030.jp2)
- §2.3 解析結果 / p44 (0030.jp2)
- 2.3.1 デバイス構造と回路条件 / p44 (0030.jp2)
- 2.3.2 ターンオフ時の電流波形 / p44 (0030.jp2)
- 2.3.3 キャリヤとポテンシャル分布の時間的変化 / p47 (0032.jp2)
- 2.3.4 nベース層中の電流成分 / p52 (0034.jp2)
- §2.4 ターンオフ機構のまとめと性能改善策 / p52 (0034.jp2)
- §2.5 むすび / p57 (0037.jp2)
- 第3章 新pエミッタ短絡型GTOの提案とその特性 / p58 (0037.jp2)
- §3.1 まえがき / p58 (0037.jp2)
- §3.2 新pエミッタ短絡構造とその動作原理 / p59 (0038.jp2)
- §3.3 電荷制御モデルによる解析 / p61 (0039.jp2)
- 3.3.1 電荷制御方程式 / p61 (0039.jp2)
- 3.3.2 数値解析 / p65 (0041.jp2)
- §3.4 計算結果およびモデルの検証 / p66 (0041.jp2)
- 3.4.1 計算結果 / p66 (0041.jp2)
- 3.4.2 試料GTO / p70 (0043.jp2)
- 3.4.3 電気的特性 / p76 (0046.jp2)
- §3.5 むすび / p85 (0051.jp2)
- 第4章 ターンオフ安全動作領域とその接合構造依存性 / p86 (0051.jp2)
- §4.1 まえがき / p86 (0051.jp2)
- §4.2 実験方法 / p87 (0052.jp2)
- 4.2.1 試料GTO / p87 (0052.jp2)
- 4.2.2 測定回路 / p87 (0052.jp2)
- 4.2.3 ターンオフ安全動作領域(QSOA) / p92 (0054.jp2)
- §4.3 接合構造依存性 / p94 (0055.jp2)
- 4.3.1 pエミッタ依存性 / p94 (0055.jp2)
- 4.3.2 nエミッタ依存性 / p94 (0055.jp2)
- 4.3.3 nベース依存性 / p101 (0059.jp2)
- §4.4 サステイン電圧の考察 / p106 (0061.jp2)
- 4.4.1 ターンオフ時の動的振る舞い / p106 (0061.jp2)
- 4.4.2 電荷制御モデルによる検討 / p110 (0063.jp2)
- §4.5 むすび / p114 (0065.jp2)
- 第5章 フローティングゲート構造によるサステイン電圧の増大 / p115 (0066.jp2)
- §5.1 まえがき / p115 (0066.jp2)
- §5.2 実験方法 / p115 (0066.jp2)
- 5.2.1 試料GTO / p115 (0066.jp2)
- 5.2.2 測定方法 / p116 (0067.jp2)
- §5.3 実験結果 / p116 (0067.jp2)
- §5.4 フローティングゲートの動作機構考察 / p124 (0071.jp2)
- 5.4.1 ターンオフ波形の差異 / p124 (0071.jp2)
- 5.4.2 ゲートコンダクタンスの見積り / p124 (0071.jp2)
- §5.5 むすび / p126 (0072.jp2)
- 第6章 フローティングゲートGTOのモデル解析 / p130 (0074.jp2)
- §6.1 まえがき / p130 (0074.jp2)
- §6.2 解析方法 / p130 (0074.jp2)
- 6.2.1 オン領域の収縮モデル / p130 (0074.jp2)
- 6.2.2 電荷制御方程式による解析 / p133 (0076.jp2)
- §6.3 解析結果 / p140 (0079.jp2)
- §6.4 モデルの検証 / p145 (0082.jp2)
- 6.4.1 フローテインクゲート電極の抵抗値依存性 / p145 (0082.jp2)
- 6.4.2 ゲート電極間の抵抗値依存性 / p149 (0084.jp2)
- §6.5 むすび / p149 (0084.jp2)
- 第7章 結言 / p153 (0086.jp2)
- §7.1 本研究により明らかにされた事項 / p153 (0086.jp2)
- §7.2 今後に残された問題 / p157 (0088.jp2)
- 謝辞 / p158 (0089.jp2)
- 参考文献 / p159 (0090.jp2)
- 付録 / p166 (0094.jp2)
- §A.1 蓄積時間tsの導出 / p166 (0094.jp2)
- §A.2 数値解析の手法 / p170 (0096.jp2)
- §A.3 電荷制御方程式 / p173 (0098.jp2)
- 発表文献 / p176 (0099.jp2)
- (1)本研究に関する発表文献 / p176 (0099.jp2)
- (i)論文 / p176 (0099.jp2)
- (ii)研究会,学会講演など / p177 (0100.jp2)
- (2)その他の発表文献 / p179 (0101.jp2)
- (i)論文 / p179 (0101.jp2)
- (ii)研究会,学会講演など / p179 (0101.jp2)