負の電子親和力を持つGaAs光電面に対する残留ガスの影響
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
負の電子親和力を持つGaAs光電面に対する残留ガスの影響
- Author
-
和田, 達明
- Author(Another name)
-
ワダ, タツアキ
- University
-
静岡大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第59号
- Degree year
-
1991-03-23
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次/p1 (4コマ目)
- 第1章 序章/p1 (5コマ目)
- 1.1 はじめに/p1 (5コマ目)
- 1.2 NEA表面/p2 (6コマ目)
- 1.3 NEA光電面の寿命/p5 (7コマ目)
- 1.4 本研究の目的/p6 (8コマ目)
- 参考文献/p7 (8コマ目)
- 第2章 NEAGaAs光電面/p9 (9コマ目)
- 2.1 はじめに/p9 (9コマ目)
- 2.2 光電子放出の基礎原理/p10 (10コマ目)
- 2.3 提唱されているモデル/p13 (11コマ目)
- 2.4 まとめ/p21 (15コマ目)
- 参考文献/p21 (15コマ目)
- 第3章 NEA光電面の再活性化/p23 (16コマ目)
- 3.1 はじめに/p23 (16コマ目)
- 3.2 試料の前処理/p24 (17コマ目)
- 3.3 光電流測定システム/p25 (17コマ目)
- 3.4 NEA光電面の活性化/p29 (19コマ目)
- 3.5 NEA GaAs光電面の劣化特性/p35 (22コマ目)
- 3.6 Cs吸着による再活性化/p37 (23コマ目)
- 3.7 まとめ/p40 (25コマ目)
- 参考文献/p40 (25コマ目)
- 第4章 NEA光電面へのC0₂､CO及びH₂0ガスの影響/p42 (26コマ目)
- 4.1 はじめに/p42 (26コマ目)
- 4.2 実験方法/p43 (26コマ目)
- 4.3 結果/p45 (27コマ目)
- 4.4 考察/p51 (30コマ目)
- 4.5 結論/p55 (32コマ目)
- 参考文献/p55 (32コマ目)
- 第5章 昇温脱離法による解析/p57 (33コマ目)
- 5.1 はじめに/p57 (33コマ目)
- 5.2 昇温脱離法/p57 (33コマ目)
- 5.3 昇温脱離スペクトル測定装置/p58 (34コマ目)
- 5.4 実験方法/p67 (38コマ目)
- 5.5 作製した昇温脱離測定システムの評価/p69 (39コマ目)
- 5.6 実験結果及び考察/p72 (41コマ目)
- 5.7 まとめ/p81 (45コマ目)
- 参考文献/p81 (45コマ目)
- 第6章 総括/p83 (46コマ目)
- 謝辞/p86 (48コマ目)