飛行時間型低速イオン散乱法による表面構造解析に関する研究 ヒコウ ジカンガタ テイソク イオン サンランホウ ニヨル ヒョウメン コウゾウ カイセキ ニカンスル ケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
-
飛行時間型低速イオン散乱法による表面構造解析に関する研究
- タイトル別名
-
ヒコウ ジカンガタ テイソク イオン サンランホウ ニヨル ヒョウメン コウゾウ カイセキ ニカンスル ケンキュウ
- 著者名
-
住友, 弘二
- 著者別名
-
スミトモ, コウジ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第4357号
- 学位授与年月日
-
1991-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p7 (0006.jp2)
- 第1章 緒論 / p1 (0008.jp2)
- 第2章 低速イオン散乱法(ISS)及び低速イオン弾性反跳粒子検出法(LE-ERDA)による表面研究 / p11 (0013.jp2)
- 2.1 緒言 / p11 (0013.jp2)
- 2.2 ISS,ERDAの基礎事項と問題点 / p11 (0013.jp2)
- 2.3 直衝突型ISS(ICISS)による構造解析 / p18 (0017.jp2)
- 2.4 ERDAによる表面軽元素の分析 / p21 (0018.jp2)
- 2.5 計算機シミュレーション / p23 (0019.jp2)
- 2.6 結言 / p27 (0021.jp2)
- 第3章 実験装置と実験手法 / p28 (0022.jp2)
- 3.1 緒言 / p28 (0022.jp2)
- 3.2 飛行時間型(TOF)エネルギー分析装置の製作と性能 / p28 (0022.jp2)
- 3.3 測定用超高真空装置 / p35 (0025.jp2)
- 3.4 計算機制御による測定の自動化 / p38 (0027.jp2)
- 3.5 実験手法 / p40 (0028.jp2)
- 3.6 結言 / p43 (0029.jp2)
- 第4章 Si(111)面上のAg薄膜の構造解析 / p44 (0030.jp2)
- 4.1 緒言 / p44 (0030.jp2)
- 4.2 実験結果 / p44 (0030.jp2)
- 4.3 検討 / p52 (0034.jp2)
- 4.4 結言 / p58 (0037.jp2)
- 第5章 水素終端Si(111)面上のAg薄膜成長過程 / p59 (0037.jp2)
- 5.1 緒言 / p59 (0037.jp2)
- 5.2 実験結果 / p59 (0037.jp2)
- 5.3 検討 / p73 (0044.jp2)
- 5.4 結言 / p76 (0046.jp2)
- 第6章 表面近傍における低速イオンの散乱過程 / p78 (0047.jp2)
- 6.1 緒言 / p78 (0047.jp2)
- 6.2 計算結果と検討 / p78 (0047.jp2)
- 6.3 結言 / p90 (0053.jp2)
- 第7章 アルゴンイオン衝撃によるSi(100)表面損傷 / p91 (0053.jp2)
- 7.1 緒言 / p91 (0053.jp2)
- 7.2 実験結果 / p91 (0053.jp2)
- 7.3 検討 / p96 (0056.jp2)
- 7.4 結言 / p101 (0058.jp2)
- 第8章 総括 / p103 (0059.jp2)
- 謝辞 / p106 (0061.jp2)
- 参考文献 / p107 (0061.jp2)
- 付録 チョッピングステージの設計 / p116 (0066.jp2)
- A.1 偏向板の電圧 / p116 (0066.jp2)
- A.2 パルス電圧の幅 / p117 (0066.jp2)
- A.3 ビームの通過時間幅 / p118 (0067.jp2)
- A.4 エネルギーの変化 / p121 (0068.jp2)