Low energy plasma etching of GaAs using electron beam excited plasma system and its application 電子ビーム励起プラズマを用いたGaAsの低エネルギープラズマエッチングとその応用
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Low energy plasma etching of GaAs using electron beam excited plasma system and its application
- タイトル別名
-
電子ビーム励起プラズマを用いたGaAsの低エネルギープラズマエッチングとその応用
- 著者名
-
余, 金中
- 著者別名
-
ユ, ジンチュン
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5391号
- 学位授与年月日
-
1991-03-14
注記・抄録
博士論文
目次
- CONTENTS / p5 (0005.jp2)
- Preface / p1 (0003.jp2)
- Acknowledgments / p4 (0005.jp2)
- 1. Introduction / p1 (0007.jp2)
- 1-1. Low energy plasma etching / p1 (0007.jp2)
- 1-2. Purpose of this work / p2 (0008.jp2)
- References / p4 (0009.jp2)
- 2. Electron beam excited plasma (EBEP) system / p7 (0010.jp2)
- 2-1. Introduction / p7 (0010.jp2)
- 2-2. EBEP system / p8 (0011.jp2)
- 2-3. Performances of EBEP system / p10 (0012.jp2)
- 2-4. Comparison between EBEP and ECR systems / p13 (0013.jp2)
- 2-5. Summary / p14 (0014.jp2)
- References / p15 (0014.jp2)
- 3. Low energy plasma etching of GaAs and Si / p17 (0015.jp2)
- 3-1. Introduction / p17 (0015.jp2)
- 3-2. Etching performances / p18 (0016.jp2)
- 3-3. Variables controlling etching / p26 (0020.jp2)
- 3-4. Etching mechanism / p30 (0022.jp2)
- 3-5. Summary / p32 (0023.jp2)
- References / p34 (0024.jp2)
- 4. Characterization of etched samples / p36 (0025.jp2)
- 4-1. Introduction / p36 (0025.jp2)
- 4-2. Photoluminescence / p37 (0025.jp2)
- 4-3. I-V and C-V characteristics / p40 (0027.jp2)
- 4-4. Deep level transient spectroscopy / p43 (0028.jp2)
- 4-5. Summary / p57 (0035.jp2)
- References / p58 (0036.jp2)
- 5. LPE growth of AlGaAs and AlGaAs/GaAs laser diodes / p60 (0037.jp2)
- 5-1. Introduction / p60 (0037.jp2)
- 5-2. LPE growth of AlGaAs / p62 (0038.jp2)
- 5-3. Doping characteristics / p64 (0039.jp2)
- 5-4. Interfaces of AlGaAs/GaAs heterostructures / p67 (0040.jp2)
- 5-5. Laser diodes and laser array / p69 (0041.jp2)
- 5-6. Summary / p79 (0046.jp2)
- References / p80 (0047.jp2)
- 6. Application of low energy plasma etching / p83 (0048.jp2)
- 6-1. Introduction / p83 (0048.jp2)
- 6-2. Equi-rate etching of AlGaAs / p85 (0049.jp2)
- 6-3. Laser diodes with mirror made by CI₂ RIBE / p88 (0051.jp2)
- 6-4. Summary / p94 (0054.jp2)
- References / p95 (0054.jp2)
- 7. Conclusions / p97 (0055.jp2)
- List of published papers / p100 (0057.jp2)
- RÉSUMÉ / p105 (0059.jp2)
